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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TS60NPBF
| Artikelnummer: | VS-GB100TS60NPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 600V 108A INT-A-PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TS60NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-GB100TS60NPBF.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 100A Supplier Device-Gehäuse INT-A-PAK Serie - Leistung - max 390 W Verpackung / Gehäuse INT-A-Pak Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor No Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingang Standard IGBT-Typ NPT Strom - Collector Cutoff (Max) 100 µA Strom - Kollektor (Ic) (max) 108 A Konfiguration Half Bridge Grundproduktnummer GB100 VS-GB100TS60NPBF Einzelheiten PDF [English] VS-GB100TS60NPBF PDF - EN.pdf -
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